爐內氛圍對硅碳棒的影向：           （1）干澀水汽的干擾：硅碳棒能在高熱（1600℃）、干澀的水汽中長款期運行，電容變緩增長。co2（O2）與SiC在高熱時遭受作用，繪制二鈍化反應硅（SiO2）。仍然硅碳棒表面上達成了的一層SiO2愛護膜，所以硅碳棒體現了太強的抗鈍化反應性。      （2）水水汽的損害：水水汽（H2O）在1100℃時與SiC會出現極強藥劑學的反應，轉為Si、SiO2和C。硅碳棒從表面出現裂開，電阻值增長率時間太快。      （3）氦氣（N2）的影晌：當硅碳棒接觸面水溫達到1400℃時，N2就與SiC形成癥狀，制成氮化硅，使硅碳棒的熱敏電阻值特殊的增長。      （4）氧氣（H2）的損害：在1250℃時，H2與SiC會出現反饋，轉為二氧化氮（CH4）,破環SiC產生熱量體。     （5）二氧化氮（NH3）的影響到：NH3在常溫時可可分成成N2和H2。故施用溫度應掌握在1250℃下。      （6）二被氧化硫（SO2）的導致：SO2在1300℃與SiC生理反應，故適用溫差應把控好在1300℃一下。      （7）余氯（Cl2）的不良影響：Cl2在600℃時就會變與SiC再次發生的反應，在1200℃時，Cl2會把硅碳棒轉化。4、 SiC與稀鹽酸（HCL）、硫酸鈉（H2SO4）在高溫天氣時不時有進行物理化學作用。濃磷酸（H3PO4）在250℃時與SiC時有進行作用，繪制o2（O2）、甲烷氣體（CH4）、二防硫化碳（CO2）和二防硫化硅（SiO2）。濃硝酸銀（HNO3）與鹽酸（HF）的分層物在室溫下能融解SiC。